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酒池 耕平

教員紹介

氏名 / 英名 酒池 耕平 / Kohei Sakaike
学科 電子制御工学科
職位 准教授
学位 博士(工学)
役職・委員 寮務主事補、教務委員、男女共同参画推進委員、公開講座運営委員
専門分野 半導体工学
担当教科

電気回路(3年)、電子工学(3年)、パワーエレクトロニクス(5年)、技術者倫理(4年)

実験実習(2,4年)、卒業研究(4,5年)、電子物性工学(専攻科1年)

資格等
所属学会・協会 応用物理学会
TEL・E-mail (代表)0846-65-3101 

担当科目と概要

電気回路(3年)

単位や物理量の解説や回路計算に必要な数学的教養,直並列回路の計算方法,キルヒホッフ則等の基本的な理論を学習する.次いで交流回路では交流電圧電流の表現方法,回路要素(RLC)の性質やインピーダンスの考え方,複素数表示,フェーザ表示等や計算方法を習得する.以上により,電気回路解析に関する基礎的な専門的知識・技術の習得(知識・技術とその応用)を目指す.

  1. 物理量と単位等の回路計算に必要な教養から始まり、直流回路の計算方法、キルヒホッフ則等の基本的な理論を学習する。
  2. 交流回路では、交流電圧電流表現方法、RLCの性質とインピーダンスの考え方、複素数表示、フェーザ表示等や計算方法を習得する。
  3. 以上により、電気回路解析に関する基礎的な専門的知識・技術の習得(知識・技術とその応用)を目指す。

電子工学(3年)

電子回路を設計あるいは運用するために必要な電子デバイスに関する「真空中・原子中の電子」「固体内の電子のエネルギー・密度」「電子デバイス」の基礎知識を修得することを目標とする。

  1. 電子の基本的な性質と、真空中又は原子中における電子の振る舞いを説明できる。
  2. 半導体のエネルギーバンドおよびキャリアのエネルギー・密度について説明できる。
  3. 電子エネルギーに基づき基本的な電子デバイスの動作について説明できる。

パワーエレクトロニクス(5年)

自然科学や専門分野の知識・技術として機械エネルギーと電気エネルギーの変換を行う発電機や電動機の駆動源となる電源装置の構成と動作原理を学習する。

  • 1.半導体素子を用いた電力機器の駆動原理を理解する。
  • 2.直流-直流変換の原理を理解する。
  • 3.直流-交流変換の原理を理解する。

研究紹介

主な研究テーマ

  • 高機能フレキシブルデバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発

キーワード

  • フレキシブル、シリコン、電子デバイス

技術相談分野

  • シリコンデバイス形成技術
  • レーザアニール技術

研究内容

概要

曲げられるディスプレイや太陽電池に代表されるフレキシブルエレクトロニクスの飛躍的な進歩を実現する為には、フレキシブル基板上で高性能電子デバイスを作製する必要がある。しかしながら、耐熱温度が低いフレキシブル基板上で高温プロセスが必要な高性能シリコン(Si) デバイスを実現することは非常に困難とされている。そこで、この課題を解決する為に、中空構造Si膜を用いた低温転写技術を提案し、本転写技術を応用することでフレキシブル基板上に高性能電子デバイスの作製が可能であることを実証してきた。本研究では、これまでの研究実績を基に、高機能フレキシブルデバイス実現に向けた低温プロセス技術の開発を行う。

業績

学術論文(査読有)

  1. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Meniscus-force-mediated layer transfer technique using single-crystalline silicon films with midair cavity: Application to fabrication of CMOS transistors on plastic substrates" Japanese Journal of Applied Physics . 54, 04DA08-1 (2015).
  2. K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, and S. Higashi, "A Technique for Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization of Amorphous Silicon Layer with Midair Cavity by Irradiation with Near-infrared Semiconductor Diode Laser", Jpn. J. Appl. Phys. 53, 040303-1 (2014).
  3. K. Sakaike, M. Akazawa, S. Nakamura, and S. Higashi, "Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force" Appl. Phys. Lett. 103, 233510-1 (2013).                       

国際会議(査読有)

  1. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Low-temperature Layer Transfer of Midair-cavity Silicon Films by Meniscus Force and Its Application to High-Performance Thin-Film Transistor Fabrication on a Polyethylene Terephthalate Substrate" Abst.of The Electrochemical Society (ECS), 1928 (Cancun, Mexico November 5 - 10, 2014)
  2. K. Sakaike, M. Akazawa, A. Nakagawa, and S. Higashi, "Fabrication of High Performance Single-Crystalline Silicon Thin Film Transistors on a Polyethylene
    Terephthalate Substrate" Abst.of International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM), 6666 (Tsukuba, Ibaraki, Japan September 8 - 11, 2014).
  3. K. Sakaike, Y. Kobayashi, S. Nakamura, M. Akazawa, S. Hayashi, S. Morisaki, M. Ikeda, and S. Higashi, "Local Area Transfer and Simultaneous Crystallization Technique for Amorphous Si Films with Midair Structure by Near-Infrared Semiconductor Diode Laser Irradiation" Abst. of the 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS), PM03 (Toronto, Ontario Canada, August 18 - 23, 2013).                                                    

社会活動等

社会活動

クラブ顧問

ソフトテニス部、フライングディスク同好会

家庭科同好会